CTLDM7120-M832DS TR Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 20V 1A, Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M832DS TR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V